FRAM Infineon, I2C a 2 fili, 1 MB, SOIC, 8 Pin, 128K x 8 bit, AEC-Q100

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Codice RS:
188-5405
Codice costruttore:
FM24V10-G
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

1MB

Tipo prodotto

FRAM

Organizzazione

128K x 8 bit

Tipo di interfaccia

I2C a 2 fili

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

450ns

Frequenza di clock massima

3.4MHz

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Larghezza

3.98 mm

Altezza

1.38mm

Lunghezza

4.97mm

Standard/Approvazioni

No

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Tensione minima di alimentazione

2V

Numero bit per parola

8

Minima temperatura operativa

-40°C

Standard automobilistico

AEC-Q100

Numero parole

128k

Paese di origine:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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