Memoria FRAM Infineon, Seriale I2C, 1Mbit, SOIC, 128K x 8

La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 1 Mbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza della EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.

Conforme a RoHS
Basso consumo energetico
Interfaccia periferica seriale molto veloce a 2 fili
Elevata resistenza di 100 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità