FRAM Infineon, Seriale I2C, 1 MB, SOIC-8, 8 Pin, 128k x 8 bit FM24VN10-G
- Codice RS:
- 273-7382
- Codice costruttore:
- FM24VN10-G
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7382
- Codice costruttore:
- FM24VN10-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 1MB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Organizzazione | 128k x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | Seriale I2C | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Frequenza di clock massima | 3.4MHz | |
| Tipo di package | SOIC-8 | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero parole | 128k | |
| Standard automobilistico | No | |
| Minima temperatura operativa | 40°C | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 1MB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Organizzazione 128k x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia Seriale I2C | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Frequenza di clock massima 3.4MHz | ||
Tipo di package SOIC-8 | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero parole 128k | ||
Standard automobilistico No | ||
Minima temperatura operativa 40°C | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 1 Mbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza della EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.
Conforme a RoHS
Basso consumo energetico
Interfaccia periferica seriale molto veloce a 2 fili
Elevata resistenza di 100 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
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