Memoria FRAM Infineon, SPI, 1Mbit, SOIC, 128000 byte x 8 bit, AEC-Q100

Questa memoria FRAM è progettata per soluzioni di archiviazione dati ad alta velocità, con una dimensione di memoria di 1 Mbit, organizzata come 128K x 8 bit. Grazie alla tecnologia di montaggio superficiale, facilita l'integrazione in vari sistemi elettronici. Le dimensioni compatte misurano 4,97 mm x 3,98 mm x 1,47 mm, offrendo versatilità per le applicazioni sensibili allo spazio.

• Le operazioni di scrittura veloci e senza ritardi aumentano l'efficienza
• Supporta un'interfaccia SPI fino a 40MHz per l'accesso alla memoria ad alta velocità
• Conforme alle norme AEC-Q100, garantisce soluzioni di memoria affidabili per il settore automobilistico
• La protezione avanzata dalla scrittura impedisce la modifica accidentale dei dati

• Integrato nei sistemi di controllo automobilistici per la registrazione dei dati
• Utilizzato nell'automazione industriale per la raccolta rapida dei dati
• Ideale per i dispositivi medici che richiedono una memorizzazione non volatile
• Utilizzato nell'elettronica di consumo per migliorare le prestazioni
• Utilizzato nei dispositivi IoT per una conservazione affidabile della memoria

La capacità di eseguire operazioni di scrittura rapida alla velocità del bus garantisce una rapida acquisizione dei dati in ambienti industriali, riducendo il rischio di perdita di dati in scenari sensibili al fattore tempo. La robusta resistenza in scrittura di 100.000 miliardi di cicli supporta ulteriormente la registrazione frequente dei dati.

Funziona in modo efficiente, consumando solo 300μA quando è attivo e appena 5μA in modalità sleep. La bassa potenza richiesta lo rende ideale per i dispositivi alimentati a batteria o per le applicazioni in cui l'efficienza energetica è fondamentale.

Il sofisticato meccanismo di protezione dalla scrittura include controlli sia hardware che software, impedendo scritture non intenzionali e garantendo che i dati critici rimangano al sicuro da modifiche accidentali, cosa essenziale nei sistemi mission-critical.

FRAM (RAM ferroelettrica)

La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.