FRAM Infineon, SPI, 2 MB, SOIC, 8 Pin, 256k x 8 Bit FM25V20A-G, AEC-Q100

Visualizza Memorie FRAM
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

15,50 €

(IVA esclusa)

18,91 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità
Per unità
1 - 915,50 €
10 - 2415,08 €
25 - 9914,69 €
100 - 49914,32 €
500 +13,96 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
124-2990
Codice costruttore:
FM25V20A-G
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Dimensione memoria

2MB

Tipo prodotto

FRAM

Tipo di interfaccia

SPI

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

16ns

Tipo montaggio

Superficie

Frequenza di clock massima

40MHz

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Lunghezza

4.97mm

Altezza

1.38mm

Standard/Approvazioni

No

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Numero parole

256K

Tensione minima di alimentazione

2V

Standard automobilistico

AEC-Q100

Numero bit per parola

8

Paese di origine:
TH

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

Link consigliati