FRAM Infineon, SPI, 2 MB, DFN, 8 Pin, 256k x 8 Bit FM25V20A-DG, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
124-2989
Codice costruttore:
FM25V20A-DG
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

2MB

Tipo prodotto

FRAM

Tipo di interfaccia

SPI

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

16ns

Tipo montaggio

Superficie

Frequenza di clock massima

40MHz

Tipo di package

DFN

Numero pin

8

Altezza

0.75mm

Lunghezza

4.5mm

Standard/Approvazioni

No

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Standard automobilistico

AEC-Q100

Tensione minima di alimentazione

2V

Minima temperatura operativa

-40°C

Numero bit per parola

8

Numero parole

256K

Tensione massima di alimentazione

3.6V

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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