FRAM Infineon, SPI, 2 MB, DFN, 8 Pin, 256k x 8 Bit FM25V20A-DG, AEC-Q100
- Codice RS:
- 124-2989
- Codice costruttore:
- FM25V20A-DG
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
16,97 €
(IVA esclusa)
20,70 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 04 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,97 € |
| 10 - 24 | 14,94 € |
| 25 - 99 | 14,54 € |
| 100 - 499 | 14,17 € |
| 500 + | 13,81 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-2989
- Codice costruttore:
- FM25V20A-DG
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 2MB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Organizzazione | 256k x 8 Bit | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 16ns | |
| Frequenza di clock massima | 40MHz | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | DFN | |
| Numero pin | 8 | |
| Lunghezza | 4.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Numero parole | 256K | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 2MB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Organizzazione 256k x 8 Bit | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 16ns | ||
Frequenza di clock massima 40MHz | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package DFN | ||
Numero pin 8 | ||
Lunghezza 4.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.75mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Numero parole 256K | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
Link consigliati
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 2Mbit 256000 byte x 8 bit, AEC-Q100
- Memoria FRAM Infineon 2Mbit 256000 byte x 8 bit
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 2Mbit 256000 byte x 8 bit
- Memoria FRAM Infineon 2Mbit 256000 byte x 8 bit, AEC-Q100
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 2Mbit 256000 byte x 8 bit, AEC-Q100
- Memoria FRAM Infineon 2Mbit 256 kB x 8
- Memoria FRAM Infineon 256kbit 32K x 8 bit
- Memoria FRAM Infineon 64kbit 8K x 8 bit, AEC-Q100