- Codice RS:
- 181-1599
- Codice costruttore:
- FM25V20A-DGQ
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 24/05/2024.
Aggiunto
Prezzo per Unità
18,90 €
(IVA esclusa)
23,06 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 4 | 18,90 € |
5 - 24 | 15,38 € |
25 - 49 | 14,97 € |
50 - 99 | 14,60 € |
100 + | 14,21 € |
- Codice RS:
- 181-1599
- Codice costruttore:
- FM25V20A-DGQ
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) logicamente
Organizzato come 256 K x 8
Lettura/scrittura di 10 trilioni (1014) ad alta resistenza
conservazione dei dati per 121 anni
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 33 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 3 ma a 33 MHz
400 A di corrente di standby
12 A modalità di attesa corrente
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura estesa: Da -40 °C a +105 °C.
Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)
Organizzato come 256 K x 8
Lettura/scrittura di 10 trilioni (1014) ad alta resistenza
conservazione dei dati per 121 anni
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 33 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 3 ma a 33 MHz
400 A di corrente di standby
12 A modalità di attesa corrente
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura estesa: Da -40 °C a +105 °C.
Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Dimensioni memoria | 2Mbit |
Organizzazione | 256 kB x 8 |
Interfacce | Seriale SPI |
Larghezza del bus dati | 8bit |
Tempo di accesso casuale massimo | 11ns |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | DFN |
Numero pin | 8 |
Dimensioni | 6 x 5 x 0.7mm |
Lunghezza | 5mm |
Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V |
Larghezza | 6mm |
Altezza | 0.7mm |
Massima temperatura operativa | +105 °C |
Numero di parole | 256K |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
Tensione di alimentazione operativa minima | 2 V |
Numero di bit per parola | 8bit |
Link consigliati
- Memoria FRAM Infineon 2Mbit 256000 byte x 8 bit, AEC-Q100
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 2Mbit 256000 byte x 8 bit
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 2Mbit 256000 byte x 8 bit, AEC-Q100
- Memoria FRAM Infineon 4Mbit 512 kB x 8
- Memoria FRAM Infineon 256kbit 32K x 8 bit
- Memoria FRAM Infineon 2Mbit 256000 byte x 8 bit
- Memoria FRAM Infineon 64kbit 8K x 8 bit, AEC-Q100
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 4Mbit 512 kB x 8