FRAM Infineon, SPI, 4 MB, DFN, 8 Pin, 512kB x 8 Bit CY15B104Q-LHXI

Visualizza Memorie FRAM
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

22,41 €

(IVA esclusa)

27,34 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
In magazzino
  • Più 249 unità in spedizione dal 23 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 422,41 €
5 - 2418,58 €
25 - 4918,02 €
50 - 9917,72 €
100 +17,32 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
181-1574
Codice costruttore:
CY15B104Q-LHXI
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Dimensione memoria

4MB

Tipo prodotto

FRAM

Organizzazione

512kB x 8 Bit

Tipo di interfaccia

SPI

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

16ns

Frequenza di clock massima

40MHz

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

DFN

Numero pin

8

Altezza

0.75mm

Larghezza

6 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Minima temperatura operativa

-40°C

Numero bit per parola

8

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Tensione minima di alimentazione

2V

Numero parole

512K

Standard automobilistico

No

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 4 Mbit (F-RAM) logicamente

Organizzato come 512 K x 8

Lettura/scrittura di 100 trilioni (1014) ad alta resistenza

conservazione dei dati per 151 anni

NoDelay™ scrive

processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced

Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce

Frequenza fino a 40 MHz

Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM

Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)

Sofisticato schema di protezione da scrittura

Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)

Protezione software mediante istruzione Write Disable

Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array

ID dispositivo

ID produttore e ID prodotto

Basso consumo energetico

300 A di corrente attiva a 1 MHz

Corrente di standby 100 A (tip.)

3 A (tip.) di corrente in modalità di attesa

Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.

Temperatura industriale: Da –40 °C a +85 °C.

Involucri

Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin

Contenitore sottile a 8 pin doppio piatto senza fili (TDFN)

Link consigliati

Recently viewed