Memoria FRAM Cypress Semiconductor, Seriale SPI, 4Mbit, DFN, 512 kB x 8

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 4 Mbit (F-RAM) logicamente
Organizzato come 512 K x 8
Lettura/scrittura di 100 trilioni (1014) ad alta resistenza
conservazione dei dati per 151 anni
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 40 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
300 A di corrente attiva a 1 MHz
Corrente di standby 100 A (tip.)
3 A (tip.) di corrente in modalità di attesa
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da –40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin
Contenitore sottile a 8 pin doppio piatto senza fili (TDFN)