FRAM Infineon, SPI, 4 MB, DFN, 8 Pin, 512kB x 8 Bit
- Codice RS:
- 181-1548
- Codice costruttore:
- CY15B104Q-LHXI
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 74 - 74 | 17,958 € | 1.328,89 € |
| 148 - 296 | 17,598 € | 1.302,25 € |
| 370 + | 17,239 € | 1.275,69 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 181-1548
- Codice costruttore:
- CY15B104Q-LHXI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 4MB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Organizzazione | 512kB x 8 Bit | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 16ns | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Frequenza di clock massima | 40MHz | |
| Tipo di package | DFN | |
| Numero pin | 8 | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 6 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero parole | 512K | |
| Standard automobilistico | No | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 4MB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Organizzazione 512kB x 8 Bit | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 16ns | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Frequenza di clock massima 40MHz | ||
Tipo di package DFN | ||
Numero pin 8 | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 6 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.75mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero parole 512K | ||
Standard automobilistico No | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 4 Mbit (F-RAM) logicamente
Organizzato come 512 K x 8
Lettura/scrittura di 100 trilioni (1014) ad alta resistenza
conservazione dei dati per 151 anni
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 40 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
300 A di corrente attiva a 1 MHz
Corrente di standby 100 A (tip.)
3 A (tip.) di corrente in modalità di attesa
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da –40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin
Contenitore sottile a 8 pin doppio piatto senza fili (TDFN)
Link consigliati
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 4Mbit 512 kB x 8
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