FRAM Infineon, SPI, 2 MB, DFN, 8 Pin, 256k x 8 Bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 188-5422
- Codice costruttore:
- FM25V20A-DG
- Costruttore:
- Infineon
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1322,75 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 74 - 74 | 14,652 € | 1.084,25 € |
| 148 + | 13,813 € | 1.022,16 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-5422
- Codice costruttore:
- FM25V20A-DG
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 2MB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 16ns | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Frequenza di clock massima | 40MHz | |
| Tipo di package | DFN | |
| Numero pin | 8 | |
| Lunghezza | 4.5mm | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero parole | 256K | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 2MB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 16ns | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Frequenza di clock massima 40MHz | ||
Tipo di package DFN | ||
Numero pin 8 | ||
Lunghezza 4.5mm | ||
Altezza 0.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero parole 256K | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.