FRAM Infineon, SPI, 1 MB, SOIC, 8 Pin, 128K x 8 bit, AEC-Q100

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Codice RS:
188-5421
Codice costruttore:
FM25V10-G
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

1MB

Tipo prodotto

FRAM

Tipo di interfaccia

SPI

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

18ns

Frequenza di clock massima

40MHz

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Lunghezza

4.97mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.47mm

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Standard automobilistico

AEC-Q100

Numero parole

128k

Tensione minima di alimentazione

2V

Minima temperatura operativa

-40°C

Numero bit per parola

8

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Paese di origine:
US

Memoria Infineon Fram, dimensione di memoria 1Mbit, organizzazione 128K x 8 bit - FM25V10-G


Questa memoria FRAM è progettata per soluzioni di archiviazione dati ad alta velocità, con una dimensione di memoria di 1 Mbit, organizzata come 128K x 8 bit. Grazie alla tecnologia di montaggio superficiale, facilita l'integrazione in vari sistemi elettronici. Le dimensioni compatte misurano 4,97 mm x 3,98 mm x 1,47 mm, offrendo versatilità per le applicazioni sensibili allo spazio.

Caratteristiche e vantaggi


• Le operazioni di scrittura veloci e senza ritardi aumentano l'efficienza

• Supporta un'interfaccia SPI fino a 40MHz per l'accesso alla memoria ad alta velocità

• Conforme alle norme AEC-Q100, garantisce soluzioni di memoria affidabili per il settore automobilistico

• La protezione avanzata dalla scrittura impedisce la modifica accidentale dei dati

Applicazioni


• Integrato nei sistemi di controllo automobilistici per la registrazione dei dati

• Utilizzato nell'automazione industriale per la raccolta rapida dei dati

• Ideale per i dispositivi medici che richiedono una memorizzazione non volatile

• Utilizzato nell'elettronica di consumo per migliorare le prestazioni

• Utilizzato nei dispositivi IoT per una conservazione affidabile della memoria

Quali vantaggi offre questa memoria per le applicazioni industriali?


La capacità di eseguire operazioni di scrittura rapida alla velocità del bus garantisce una rapida acquisizione dei dati in ambienti industriali, riducendo il rischio di perdita di dati in scenari sensibili al fattore tempo. La robusta resistenza in scrittura di 100.000 miliardi di cicli supporta ulteriormente la registrazione frequente dei dati.

Come si colloca il suo consumo energetico rispetto alle soluzioni di memoria tradizionali?


Funziona in modo efficiente, consumando solo 300μA quando è attivo e appena 5μA in modalità sleep. La bassa potenza richiesta lo rende ideale per i dispositivi alimentati a batteria o per le applicazioni in cui l'efficienza energetica è fondamentale.

Quali vantaggi offrono le funzioni di protezione integrate?


Il sofisticato meccanismo di protezione dalla scrittura include controlli sia hardware che software, impedendo scritture non intenzionali e garantendo che i dati critici rimangano al sicuro da modifiche accidentali, cosa essenziale nei sistemi mission-critical.

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