Memoria FRAM Infineon, SPI, 1Mbit, SOIC, 128000 byte x 8 bit, AEC-Q100

La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica da 1 Mbit (F-RAM) organizzata logicamente come 128K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 40 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
ID dispositivo e numero di serie
ID produttore e ID prodotto
Numero di serie univoco (FM25VN10)
Basso consumo energetico
Corrente attiva 300 μA a 1 MHz
Corrente di standby 90 μA (tip.)
Corrente in modalità sleep da 5 μA
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Contenitore DFN (Dual Flat no-lead) a 8 pin

FRAM (RAM ferroelettrica)

La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.