Memoria FRAM Cypress Semiconductor, SPI, 1Mbit, SOIC, 128000 byte x 8 bit, AEC-Q100

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Prezzo per 1 tubo da 97 unità*

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Codice RS:
188-5424
Codice costruttore:
FM25VN10-G
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

1Mbit

Organizzazione

128000 byte x 8 bit

Interfacce

SPI

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

18ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Dimensioni

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Lunghezza

4.97mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Larghezza

3.98mm

Altezza

1.48mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

2 V

Numero di parole

128k

Minima temperatura operativa

-40 °C

Numero di bit per parola

8bit

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Paese di origine:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica da 1 Mbit (F-RAM) organizzata logicamente come 128K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 40 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
ID dispositivo e numero di serie
ID produttore e ID prodotto
Numero di serie univoco (FM25VN10)
Basso consumo energetico
Corrente attiva 300 μA a 1 MHz
Corrente di standby 90 μA (tip.)
Corrente in modalità sleep da 5 μA
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Contenitore DFN (Dual Flat no-lead) a 8 pin


FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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