FRAM Infineon, 1 MB, TSOP, 32 Pin, 128k x 8 FM28V100-TGTR, AEC-Q100
- Codice RS:
- 273-5334
- Codice costruttore:
- FM28V100-TGTR
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*
22.900,50 €
(IVA esclusa)
27.939,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 24 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 15,267 € | 22.900,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-5334
- Codice costruttore:
- FM28V100-TGTR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 1MB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Organizzazione | 128k x 8 | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 32 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | 80°C | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 1MB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Organizzazione 128k x 8 | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 32 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa 80°C | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
La memoria FRAM Infineon è una memoria non volatile da 128 K x 8 che legge e scrive in modo simile a una SRAM standard. Una memoria a accesso casuale ferroelettrica o FRAM è non volatile, il che significa che i dettagli vengono conservati dopo la rimozione dell'alimentazione. Fornisce la conservazione dei dati per oltre 151 anni eliminando al contempo i problemi di affidabilità, gli svantaggi funzionali e le complessità di progettazione del sistema della SRAM a batteria. I tempi di scrittura rapidi e l'elevata resistenza alla scrittura rendono la FRAM superiore agli altri tipi di memoria.
Conforme a RoHS
Funzionamento a bassa tensione
Basso consumo energetico
Superiori ai moduli SRAM a batteria
Superiore per l'umidità e gli urti con vibrazioni