Fotoaccoppiatore onsemi, Montaggio con foro passante, uscita IGBT, MOSFET, 8 Pin

Elevata immunità al rumore caratterizzata da una reiezione minima della modalità comune di 35 kV/μs
Capacità di pilotaggio della corrente di Peak Output da 2,5 A per la maggior parte degli IGBT da 800 V/20 A.
L'utilizzo di MOSFET a canale P nello stadio di uscita consente l'oscillazione della tensione di uscita vicino alla linea di alimentazione
Ampia gamma di tensione di alimentazione da 15 V a 30 V.
Elevata velocità di commutazione
Max. Ritardo di propagazione 400 ns
Distorsione massima ampiezza d'impulso di 100 ns
Blocco di sottotensione (UVLO) con isteresi
Gamma di temperature industriali estese, da -40°C a 100°C.
RDS(ON) da 3 Ω (tip.) per una dissipazione di potenza inferiore
>Distanza e distanza di gocciolamento di 8,0 mm (opzione 'T')
Alimentatore continuo
Inverter industriale
Gate drive IGBT/MOSFET di potenza isolato
Riscaldamento a induzione
Applications
Alimentatore per rivenditori AC-DC
Generazione e distribuzione di energia
Motore industriale
Alimentatore continuo