Alliance Memory SDRAM AS4C128M16MD4-062BAN, 2 GB Superficie, TFBGA a 200 sfere 16 bit 200 Pin
- Codice RS:
- 425-206
- Codice costruttore:
- AS4C128M16MD4-062BAN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Prezzo per 1 vassoio da 136 unità*
3633,376 €
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 136 + | 26,716 € | 3.633,38 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 425-206
- Codice costruttore:
- AS4C128M16MD4-062BAN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Tipo prodotto | SDRAM | |
| Dimensione memoria | 2GB | |
| Larghezza bus dati | 16bit | |
| Frequenza di clock massima | 1600MHz | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 3.5ns | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | TFBGA a 200 sfere | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero pin | 200 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 105°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Lunghezza | 14.5mm | |
| Serie | AS4C128M16MD4 | |
| Tensione massima di alimentazione | 1.06V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.95V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Tipo prodotto SDRAM | ||
Dimensione memoria 2GB | ||
Larghezza bus dati 16bit | ||
Frequenza di clock massima 1600MHz | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 3.5ns | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package TFBGA a 200 sfere | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero pin 200 | ||
Temperatura massima di funzionamento 105°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC | ||
Altezza 0.8mm | ||
Lunghezza 14.5mm | ||
Serie AS4C128M16MD4 | ||
Tensione massima di alimentazione 1.06V | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione minima di alimentazione 1.95V | ||
- Paese di origine:
- TW
La SDRAM DDR4 Alliance Memory è una memoria dinamica ad alta velocità ad accesso casuale organizzata internamente con otto banchi. La SDRAM DDR4 utilizza un'architettura 8n per ottenere un funzionamento ad alta velocità. Il funzionamento inizia con la registrazione di un comando di attivazione, seguito da un comando di lettura o scrittura.
Calibrazione ZQ
Conforme allo standard JEDEC
Livellamento della scrittura
Conforme alla direttiva RoHS
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