Intelligent Memory SDRAM AEC-Q100 IME1G16D3EEBG-15EI, 1 GB Superficie, FBGA-96 a sfera 16 bit 96 Pin
- Codice RS:
- 588-643
- Codice costruttore:
- IME1G16D3EEBG-15EI
- Costruttore:
- Intelligent Memory
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- Codice RS:
- 588-643
- Codice costruttore:
- IME1G16D3EEBG-15EI
- Costruttore:
- Intelligent Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Intelligent Memory | |
| Tipo prodotto | SDRAM | |
| Dimensione memoria | 1GB | |
| Organizzazione | 8M x 16 | |
| Larghezza bus dati | 16bit | |
| Frequenza di clock massima | 800MHz | |
| Numero bit per parola | 72 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 1.25ns | |
| Numero parole | 16777216 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | FBGA-96 a sfera | |
| Numero pin | 96 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 95°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC, RoHS | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Serie | IME1G(08/16)D3EEB | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.425V | |
| Tensione massima di alimentazione | 1.575V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Intelligent Memory | ||
Tipo prodotto SDRAM | ||
Dimensione memoria 1GB | ||
Organizzazione 8M x 16 | ||
Larghezza bus dati 16bit | ||
Frequenza di clock massima 800MHz | ||
Numero bit per parola 72 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 1.25ns | ||
Numero parole 16777216 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package FBGA-96 a sfera | ||
Numero pin 96 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 95°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC, RoHS | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Serie IME1G(08/16)D3EEB | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Tensione minima di alimentazione 1.425V | ||
Tensione massima di alimentazione 1.575V | ||
- Paese di origine:
- TW
La DRAM DDR (Double Data Rate) Intelligent Memory offre una maggiore densità dei moduli, una maggiore velocità di trasmissione dati e requisiti di tensione inferiori rispetto ai dispositivi DDR3. Supporta inoltre il mascheramento dei dati a livello di byte nei comandi di scrittura, migliorando la gestione e l'affidabilità dei dati.
Lunghezza burst e latenza CAS programmabili
Refresh automatico e self refresh
Livellamento scrittura
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