ISSI SDRAM IS43TR16128DL-125KBLI, 2 GB Montaggio superficiale, BGA 96 Pin

La SDRAM ISSI DDR3L da 2 Gb supporta la tensione standard di VDD e VDDQ a 1,5 V, ± 0,075 V e il funzionamento a bassa tensione a 1,35 V, +0,1 V, −067 V con retrocompatibilità a 1,5 V. Offre un trasferimento dati ad alta velocità con frequenze di sistema fino a 1066 MHz e dispone di 8 banchi interni per operazioni simultanee. L'architettura si basa su un prefetch a 8 n bit e include latenza CAS programmabile, opzioni di latenza additiva di 0 CL−1 o CL−2 e latenza di scrittura CAS CWL basata su tCK. La lunghezza della burst è programmabile a 4 o 8 con modalità di sequenza di burst selezionabili, tra cui sequenziale e interleave.

Interruttore BL on-the-fly