Alliance Memory SDRAM AS4C64M8D3-12BIN, 512 MB Superficie, FBGA 8 bit 78 Pin
- Codice RS:
- 665-382
- Codice costruttore:
- AS4C64M8D3-12BIN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Non disponibile
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- Codice RS:
- 665-382
- Codice costruttore:
- AS4C64M8D3-12BIN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Dimensione memoria | 512MB | |
| Tipo prodotto | SDRAM | |
| Organizzazione | 64M x 8 | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Frequenza di clock massima | 800MHz | |
| Numero parole | 64 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | FBGA | |
| Numero pin | 78 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 95°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC | |
| Larghezza | 8 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.425V | |
| Tensione massima di alimentazione | 1.575V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Dimensione memoria 512MB | ||
Tipo prodotto SDRAM | ||
Organizzazione 64M x 8 | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Frequenza di clock massima 800MHz | ||
Numero parole 64 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package FBGA | ||
Numero pin 78 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 95°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC | ||
Larghezza 8 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione minima di alimentazione 1.425V | ||
Tensione massima di alimentazione 1.575V | ||
- Paese di origine:
- TW
La DRAM DDR3 Alliance Memory da 512 Mb in un contenitore FBGA a 78 sfere è dotata di un'architettura a velocità di trasferimento dati doppia per un funzionamento ad alta velocità ed è configurata internamente come DRAM a otto banchi. È organizzato come 8 x 8 banche I/O da 8 Mbit e supporta velocità di trasferimento dati a velocità doppia fino a 1600 Mb/s per pin, il che lo rende ideale per le applicazioni per impieghi generali. Il dispositivo è conforme a tutte le principali specifiche DRAM DDR3, con ingressi di controllo e indirizzo sincronizzati utilizzando una coppia di clock differenziali forniti esternamente.
8 banche interne per il funzionamento simultaneo
Architettura prefigurata 8n-bit
Architettura interna tubata
Precarica e spegnimento attivo
Registri di modalità programmabile e modalità estesa
Il tipo Burst è sequenziale e interleave
Controllo dell'impedenza del driver di uscita
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