Alliance Memory SDRAM AS4C32M16D1A-5TCN, 64 MB Montaggio superficiale, TSOP II 16 bit 66 Pin
- Codice RS:
- 842-634
- Codice costruttore:
- AS4C32M16D1A-5TCN
- Costruttore:
- Alliance Memory
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- Codice RS:
- 842-634
- Codice costruttore:
- AS4C32M16D1A-5TCN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Tipo prodotto | SDRAM | |
| Dimensione memoria | 64MB | |
| Organizzazione | 32M x 16 bit | |
| Larghezza bus dati | 16bit | |
| Frequenza di clock massima | 200MHz | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 0.7ns | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP II | |
| Numero pin | 66 | |
| Minima temperatura operativa | 0°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 70°C | |
| Lunghezza | 22.22mm | |
| Serie | AS4C32M16D1A | |
| Tensione massima di alimentazione | 2.7V | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.3V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Tipo prodotto SDRAM | ||
Dimensione memoria 64MB | ||
Organizzazione 32M x 16 bit | ||
Larghezza bus dati 16bit | ||
Frequenza di clock massima 200MHz | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 0.7ns | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP II | ||
Numero pin 66 | ||
Minima temperatura operativa 0°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 70°C | ||
Lunghezza 22.22mm | ||
Serie AS4C32M16D1A | ||
Tensione massima di alimentazione 2.7V | ||
Tensione minima di alimentazione 2.3V | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
La DRAM sincrona DDR Alliance Memory fornisce un accesso rapido ai dati e un funzionamento efficiente della memoria in diversi sistemi elettronici.
La velocità di clock rapida di 200 MHz migliora la velocità di memoria
Supporta entrambi gli ingressi di clock differenziali per un trasferimento dati stabile
L'architettura di memoria include quattro banchi interni per una maggiore efficienza
Offre opzioni di latenza CAS programmabili per una tempistica di lettura ottimizzata