SDRAM W949D2DBJX5I, 512Mbit, 200MHz, Da 1,7 V a 1,95 V, VFBGA 90 Pin LPDDR

VDD = 1,7∼1,95 V.
VDDQ = 1,7∼1,95 V.
Larghezza dati: x16 / x32
Frequenza di clock: 200MHz (-5),166MHz (-6)
Modalità di aggiornamento automatico standard
Aggiornamento Automatico Parziale Dell'Array (Pasr)
Aggiornamento Automatico Con Compensazione Della Temperatura (Atcsr)
Modalità Di Spegnimento
Modalità Deep Power Down (Dpd)
Buffer di uscita programmabile con resistenza driver
Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo
Maschera dati (DM) per la scrittura dei dati
Funzione di arresto dell'orologio durante i periodi di inattività
Opzione di precarica automatica per ogni accesso burst
Velocità di trasmissione dati doppia per l'output dei dati
Ingressi orologio differenziale (CK e CK)
Bidirezionale, data strobe (DQS)
Latenza CAS: 2 e 3
Lunghezza burst: 2, 4, 8 e 16
Tipo Burst: Sequenziale O Interleave
Cicli di aggiornamento 8K/64 MS
Interfaccia: Compatibile LVCMOS
Pacchetto di supporto:
60 sfere VFBGA (x16)
90 sfere VFBGA (x32)
Temperatura d'esercizio
ESTESO: -25°C ≤ TCASE ≤ 85°C.
INDUSTRIALE: -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C.

Si tratta di una SDRAM DDR a bassa potenza 512MB organizzata come 2M parole x 4 banchi x 32bits.

Tipo Burst: Sequenziale O Interleave
Modalità di aggiornamento automatico standard
PASR, ATCSR, modalità Di Spegnimento、DPD
Buffer di uscita programmabile con resistenza driver
Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo
I valori stroboscopici bidirezionali (DQS) sono trasmessi o ricevuti con i dati, per essere utilizzati nell'acquisizione dei dati in corrispondenza del ricevitore