Winbond SDRAM LPDDR mobile, 512 MB Superficie, VFBGA 32 bit 90 Pin
- Codice RS:
- 188-2577
- Codice costruttore:
- W949D2DBJX5I
- Costruttore:
- Winbond
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 188-2577
- Codice costruttore:
- W949D2DBJX5I
- Costruttore:
- Winbond
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Winbond | |
| Dimensione memoria | 512MB | |
| Tipo prodotto | SDRAM LPDDR mobile | |
| Organizzazione | 64M x 8 Bit | |
| Larghezza bus dati | 32bit | |
| Larghezza indirizzi bus | 15bit | |
| Frequenza di clock massima | 200MHz | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 5ns | |
| Numero parole | 64M | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | VFBGA | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero pin | 90 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Lunghezza | 13.1mm | |
| Altezza | 0.65mm | |
| Larghezza | 8.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | LVCMOS Compatible | |
| Serie | W949D2DB | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.7V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione massima di alimentazione | 1.95V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Winbond | ||
Dimensione memoria 512MB | ||
Tipo prodotto SDRAM LPDDR mobile | ||
Organizzazione 64M x 8 Bit | ||
Larghezza bus dati 32bit | ||
Larghezza indirizzi bus 15bit | ||
Frequenza di clock massima 200MHz | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 5ns | ||
Numero parole 64M | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package VFBGA | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero pin 90 | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Lunghezza 13.1mm | ||
Altezza 0.65mm | ||
Larghezza 8.1 mm | ||
Standard/Approvazioni LVCMOS Compatible | ||
Serie W949D2DB | ||
Tensione minima di alimentazione 1.7V | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione massima di alimentazione 1.95V | ||
VDD = 1,7∼1,95 V.
VDDQ = 1,7∼1,95 V.
Larghezza dati: x16 / x32
Frequenza di clock: 200MHz (-5),166MHz (-6)
Modalità di aggiornamento automatico standard
Aggiornamento Automatico Parziale Dell'Array (Pasr)
Aggiornamento Automatico Con Compensazione Della Temperatura (Atcsr)
Modalità Di Spegnimento
Modalità Deep Power Down (Dpd)
Buffer di uscita programmabile con resistenza driver
Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo
Maschera dati (DM) per la scrittura dei dati
Funzione di arresto dell'orologio durante i periodi di inattività
Opzione di precarica automatica per ogni accesso burst
Velocità di trasmissione dati doppia per l'output dei dati
Ingressi orologio differenziale (CK e CK)
Bidirezionale, data strobe (DQS)
Latenza CAS: 2 e 3
Lunghezza burst: 2, 4, 8 e 16
Tipo Burst: Sequenziale O Interleave
Cicli di aggiornamento 8K/64 MS
Interfaccia: Compatibile LVCMOS
Pacchetto di supporto:
60 sfere VFBGA (x16)
90 sfere VFBGA (x32)
Temperatura d'esercizio
ESTESO: -25°C ≤ TCASE ≤ 85°C.
INDUSTRIALE: -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C.
Si tratta di una SDRAM DDR a bassa potenza 512MB organizzata come 2M parole x 4 banchi x 32bits.
Tipo Burst: Sequenziale O Interleave
Modalità di aggiornamento automatico standard
PASR, ATCSR, modalità Di Spegnimento、DPD
Buffer di uscita programmabile con resistenza driver
Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo
I valori stroboscopici bidirezionali (DQS) sono trasmessi o ricevuti con i dati, per essere utilizzati nell'acquisizione dei dati in corrispondenza del ricevitore
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