SDRAM W949D6DBHX5I, 512Mbit, 200MHz, Da 1,7 V a 1,95 V, VFBGA 60 Pin LPDDR
- Codice RS:
- 188-2578
- Codice costruttore:
- W949D6DBHX5I
- Costruttore:
- Winbond
Prezzo per 1 vassoio da 312 unità*
1002,456 €
(IVA esclusa)
1223,04 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 312 + | 3,213 € | 1.002,46 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-2578
- Codice costruttore:
- W949D6DBHX5I
- Costruttore:
- Winbond
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Winbond | |
| Dimensioni memoria | 512Mbit | |
| Classe SDRAM | LPDDR | |
| Organizzazione | 64M x 8 bit | |
| Flusso dati | 200MHz | |
| Larghezza del bus dati | 16bit | |
| Larghezza del bus indirizzi | 15bit | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 5ns | |
| Numero di parole | 64M | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | VFBGA | |
| Numero pin | 60 | |
| Dimensioni | 9.1 x 8.1 x 0.65mm | |
| Altezza | 0.65mm | |
| Lunghezza | 9.1mm | |
| Larghezza | 8.1mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 1,7 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 1,95 V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Winbond | ||
Dimensioni memoria 512Mbit | ||
Classe SDRAM LPDDR | ||
Organizzazione 64M x 8 bit | ||
Flusso dati 200MHz | ||
Larghezza del bus dati 16bit | ||
Larghezza del bus indirizzi 15bit | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 5ns | ||
Numero di parole 64M | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package VFBGA | ||
Numero pin 60 | ||
Dimensioni 9.1 x 8.1 x 0.65mm | ||
Altezza 0.65mm | ||
Lunghezza 9.1mm | ||
Larghezza 8.1mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 1,7 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 1,95 V | ||
Si tratta di una SDRAM DDR a bassa potenza 512MB organizzata come 4M parole x 4 banchi x 16bits.
Tipo Burst: Sequenziale O Interleave
Modalità di aggiornamento automatico standard
PASR, ATCSR, modalità Di Spegnimento、DPD
Buffer di uscita programmabile con resistenza driver
Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo
I valori stroboscopici bidirezionali (DQS) sono trasmessi o ricevuti con i dati, per essere utilizzati nell'acquisizione dei dati in corrispondenza del ricevitore
Modalità di aggiornamento automatico standard
PASR, ATCSR, modalità Di Spegnimento、DPD
Buffer di uscita programmabile con resistenza driver
Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo
I valori stroboscopici bidirezionali (DQS) sono trasmessi o ricevuti con i dati, per essere utilizzati nell'acquisizione dei dati in corrispondenza del ricevitore
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