SDRAM AS4C16M16SA-6TINTR, 256Mbit, 166MHz, 3 V → 3,6 V, TSOP 54 Pin DDR
- Codice RS:
- 230-8418P
- Codice costruttore:
- AS4C16M16SA-6TINTR
- Costruttore:
- Alliance Memory
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 98 | 4,12 € |
| 100 - 248 | 3,695 € |
| 250 - 498 | 3,67 € |
| 500 + | 3,535 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 230-8418P
- Codice costruttore:
- AS4C16M16SA-6TINTR
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Dimensioni memoria | 256Mbit | |
| Classe SDRAM | DDR | |
| Organizzazione | 16 M x 16 | |
| Flusso dati | 166MHz | |
| Larghezza del bus dati | 16bit | |
| Larghezza del bus indirizzi | 13bit | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 5ns | |
| Numero di parole | 16 M | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 54 | |
| Dimensioni | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Lunghezza | 22.35mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Larghezza | 10.29mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 3 V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Dimensioni memoria 256Mbit | ||
Classe SDRAM DDR | ||
Organizzazione 16 M x 16 | ||
Flusso dati 166MHz | ||
Larghezza del bus dati 16bit | ||
Larghezza del bus indirizzi 13bit | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 5ns | ||
Numero di parole 16 M | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 54 | ||
Dimensioni 22.35 x 10.29 x 1.2mm | ||
Altezza 1.2mm | ||
Lunghezza 22.35mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Larghezza 10.29mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 3 V | ||
La SDRAM 256MB Alliance Memory è una DRAM sincrona CMOS ad alta velocità contenente 256 Mbit. È configurato internamente come 4 banchi di 4M word x 16 DRAM con interfaccia sincrona (tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK). Gli accessi in lettura e scrittura alla SDRAM sono orientati al burst
gli accessi partono da una posizione selezionata e continuano per un numero programmato di posizioni in una sequenza programmata. Gli accessi iniziano con la registrazione di un comando BankActivate seguito da un comando Read o Write.
Tempo di accesso rapido dall'orologio: 5/5,4 ns
Frequenza di clock rapida: 166/143 MHz
Funzionamento completamente sincrono
Architettura pipeline interna
4m parola x 16 bit x 4 banchi
Frequenza di clock rapida: 166/143 MHz
Funzionamento completamente sincrono
Architettura pipeline interna
4m parola x 16 bit x 4 banchi