Alliance Memory SDRAM, 512 MB Superficie, TSOP 16 bit 54 Pin
- Codice RS:
- 230-8426P
- Codice costruttore:
- AS4C32M16SB-7TCN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
- Codice RS:
- 230-8426P
- Codice costruttore:
- AS4C32M16SB-7TCN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Tipo prodotto | SDRAM | |
| Dimensione memoria | 512MB | |
| Organizzazione | 32M x 16 bit | |
| Larghezza bus dati | 16bit | |
| Larghezza indirizzi bus | 13bit | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Frequenza di clock massima | 166MHz | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 5.4ns | |
| Numero parole | 8K | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Minima temperatura operativa | 0°C | |
| Numero pin | 54 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 70°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 10.29mm | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Lunghezza | 22.35mm | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Tipo prodotto SDRAM | ||
Dimensione memoria 512MB | ||
Organizzazione 32M x 16 bit | ||
Larghezza bus dati 16bit | ||
Larghezza indirizzi bus 13bit | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Frequenza di clock massima 166MHz | ||
Tempo massimo di accesso casuale 5.4ns | ||
Numero parole 8K | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package TSOP | ||
Minima temperatura operativa 0°C | ||
Numero pin 54 | ||
Temperatura massima di funzionamento 70°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 10.29mm | ||
Altezza 1.2mm | ||
Lunghezza 22.35mm | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
La SDRAM 512MB Alliance Memory è una DRAM sincrona CMOS ad alta velocità contenente 512 Mbit. È configurato internamente come 4 banchi di 8M word x 16 DRAM con interfaccia sincrona (tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK). Gli accessi in lettura e scrittura alla SDRAM sono orientati al burst; gli accessi partono da una posizione selezionata e continuano per un numero programmato di posizioni in una sequenza programmata. Gli accessi iniziano con la registrazione di un comando Bank Activate seguito da un comando Read o Write.
Aggiornamento automatico e aggiornamento automatico
8192 cicli di aggiornamento/64ms
Modalità di spegnimento CKE
Alimentatore singolo da +3,3 V ±0,3 V.