SDRAM AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 V → 3,6 V, TSOP 54 Pin DDR
- Codice RS:
- 230-8434
- Codice costruttore:
- AS4C4M16SA-7TCN
- Costruttore:
- Alliance Memory
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|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,316 € | 11,58 € |
| 10 - 20 | 2,092 € | 10,46 € |
| 25 - 45 | 2,054 € | 10,27 € |
| 50 - 70 | 2,044 € | 10,22 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 230-8434
- Codice costruttore:
- AS4C4M16SA-7TCN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Dimensioni memoria | 64Mbit | |
| Organizzazione | 4m x 16 | |
| Classe SDRAM | DDR | |
| Flusso dati | 200MHz | |
| Larghezza del bus dati | 16bit | |
| Larghezza del bus indirizzi | 12bit | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 5.4ns | |
| Numero di parole | 4M | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 54 | |
| Dimensioni | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Lunghezza | 22.35mm | |
| Massima temperatura operativa | +70 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Minima temperatura operativa | 0 °C | |
| Larghezza | 10.29mm | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 3 V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Dimensioni memoria 64Mbit | ||
Organizzazione 4m x 16 | ||
Classe SDRAM DDR | ||
Flusso dati 200MHz | ||
Larghezza del bus dati 16bit | ||
Larghezza del bus indirizzi 12bit | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 5.4ns | ||
Numero di parole 4M | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 54 | ||
Dimensioni 22.35 x 10.29 x 1.2mm | ||
Altezza 1.2mm | ||
Lunghezza 22.35mm | ||
Massima temperatura operativa +70 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Minima temperatura operativa 0 °C | ||
Larghezza 10.29mm | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 3 V | ||
La SDRAM 64MB Alliance Memory è una DRAM sincrona CMOS ad alta velocità contenente 64 Mbit. È configurato internamente come 4 banchi di 1M word x 16 DRAM con interfaccia sincrona (tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK). Gli accessi in lettura e scrittura alla SDRAM sono orientati al burst
gli accessi partono da una posizione selezionata e continuano per un numero programmato di posizioni in una sequenza programmata. Gli accessi iniziano con la registrazione di un comando Bank Activate seguito da un comando Read o Write.
Tempo di accesso rapido dall'orologio: 4,5/5,4/5,4 ns
Frequenza di clock rapida: 200/166/143 MHz
Funzionamento completamente sincrono
Architettura pipeline interna
1m parola x 16 bit x 4 banchi
Frequenza di clock rapida: 200/166/143 MHz
Funzionamento completamente sincrono
Architettura pipeline interna
1m parola x 16 bit x 4 banchi
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