SDRAM AS4C64M16D2A-25BIN, 1Gbit, 400MHz, Da 1,7 V a 1,9 V, FBGA 84 Pin DDR2
- Codice RS:
- 230-8437P
- Codice costruttore:
- AS4C64M16D2A-25BIN
- Costruttore:
- Alliance Memory
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- Codice RS:
- 230-8437P
- Codice costruttore:
- AS4C64M16D2A-25BIN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Dimensioni memoria | 1Gbit | |
| Classe SDRAM | DDR2 | |
| Organizzazione | 64M x 16 | |
| Flusso dati | 400MHz | |
| Larghezza del bus dati | 16bit | |
| Larghezza del bus indirizzi | 13bit | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Numero di parole | 64 M | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | FBGA | |
| Numero pin | 84 | |
| Dimensioni | 8.1 x 12.5 x 1.2mm | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Massima temperatura operativa | +95 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 1,9 V | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 1,7 V | |
| Larghezza | 12.5mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Dimensioni memoria 1Gbit | ||
Classe SDRAM DDR2 | ||
Organizzazione 64M x 16 | ||
Flusso dati 400MHz | ||
Larghezza del bus dati 16bit | ||
Larghezza del bus indirizzi 13bit | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Numero di parole 64 M | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package FBGA | ||
Numero pin 84 | ||
Dimensioni 8.1 x 12.5 x 1.2mm | ||
Altezza 1.2mm | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Massima temperatura operativa +95 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 1,9 V | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 1,7 V | ||
Larghezza 12.5mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Alliance Memory AS4C64M16D2A è una memoria CMOS Double-Data-Rate-Two (DDR2) ad alta velocità, SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory) contenente 1024 Mbit in un i/o dati a 16 bit. È configurato internamente come DRAM a 8 banchi, 8 banchi x indirizzi 8MB x 16 i/O. Il dispositivo è progettato per essere conforme alle caratteristiche principali DRAM DDR2, come ad esempio il numero CAS postato con latenza additiva, latenza di scrittura = latenza di lettura -1, regolazione dell'impedenza del driver off-chip (OCD) e terminazione di tipo on-die (ODT).
Supporta la specifica di jitter del clock JEDEC
Funzionamento completamente sincrono
Velocità di clock elevata: 400 MHz
Clock differenziale, CK e CK
Dati bidirezionali singoli/differenziali strobo DQS e DQS n.
8 banchi interni per il funzionamento simultaneo
architettura di prefetch a 4 bit
Inte
Funzionamento completamente sincrono
Velocità di clock elevata: 400 MHz
Clock differenziale, CK e CK
Dati bidirezionali singoli/differenziali strobo DQS e DQS n.
8 banchi interni per il funzionamento simultaneo
architettura di prefetch a 4 bit
Inte
