SRAM Cypress Semiconductor CY62128EV30LL-45ZXI da 1 MB, 128K x 8 bit, 32 Pin, TSOP, Superficie

Questa SRAM è un dispositivo di memoria statica progettato per l'archiviazione rapida di dati in byte in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona entro i limiti di temperatura industriali e supporta sistemi che richiedono buffering dati di tipo non volatile con bassa latenza di accesso e tensione di alimentazione standard. Il contenitore è adatto per progetti di circuiti compatti in cui lo spazio sulla scheda e l'affidabilità del montaggio sono importanti.

• Bassa latenza di lettura/scrittura a 45 ns che consente transazioni dati rapide
• Funziona con alimentazione a 3,6 V per la compatibilità con le comuni guide logiche
• Organizzato in 128Kx8 bit che fornisce 128k parole indirizzabili
• Il pacchetto TSOP a 32 pin a montaggio superficiale semplifica l'assemblaggio del circuito stampato
• Ampio intervallo di funzionamento da -40 a 85 °C per ambienti industriali

• Adatto per il buffering dati ad alta velocità nei sistemi di controllo
• Ideale per lo stoccaggio temporaneo in dispositivi di automazione industriale
• Utilizzato con microcontrollori che richiedono una memoria parallela a 8 bit
• Può essere utilizzato per la schermatura del firmware in piattaforme integrate
• Adatto per gli aggiornamenti in cui è richiesta una SRAM a bassa latenza

Ogni accesso alla memoria trasferisce otto bit in parallelo secondo l'organizzazione a 8 bit.

Progettare un ingombro per un pacchetto TSOP a 32 pin per montaggio superficiale corrispondente al numero di pin del dispositivo.

Funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -40 e 85 °C per un funzionamento di livello industriale.

La capacità è presentata come un totale di 1 MB, disposta come 128.000 parole di 8 bit ciascuna.