Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 16Mbit, 1M x 16 bit, 54 Pin, TSOP, Montaggio superficiale

CY7C1061G e CY7C1061GE sono dispositivi RAM CMOS statica veloce ad elevate prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono offerti in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in configurazioni di pin multiple. Il dispositivo CY7C1061GE comprende un pin ERR che segnala un rilevamento errori a 1 bit e evento di correzione durante un ciclo di lettura.

Elevata velocità
tAA = 10 ns/15 ns
Codice di correzione degli errori incorporato (ECC) per errore bit singolo
Correzione [1, 2]
Bassa corrente in standby e d'esercizio
ICC = 90 mA tipico a 100 MHz
ISB2 = 20 mA tipico
Gamma di tensione di esercizio: da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V, e
Da 4,5 V a 5,5 V
1,0 V di conservazione dei dati
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Pin indicazione di errore (ERR) a 1 bit per indicare il rilevamento e la correzione di errore da 1 bit
Disponibili in contenitori senza piombo a 48 pin, TSOP I 54 pin TSOP II e a 48 sfere VFBGA