Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 16Mbit, 1M x 16 bit, 54 Pin, TSOP, Montaggio superficiale

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Codice RS:
181-7451
Codice costruttore:
CY7C1061GE30-10ZSXI
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

16Mbit

Organizzazione

1M x 16 bit

Numero di parole

1M

Numero di bit per parola

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

10ns

Larghezza del bus indirizzi

16bit

Frequenza di clock

100MHz

Bassa potenza

Sì

Temporizzazione

Asincrono

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

TSOP

Numero pin

54

Dimensioni

22.51 x 10.26 x 1.05mm

Altezza

1.05mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Lunghezza

22.51mm

Tensione di alimentazione operativa minima

2,2 V

Larghezza

10.26mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

CY7C1061G e CY7C1061GE sono dispositivi RAM CMOS statica veloce ad elevate prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono offerti in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in configurazioni di pin multiple. Il dispositivo CY7C1061GE comprende un pin ERR che segnala un rilevamento errori a 1 bit e evento di correzione durante un ciclo di lettura.

Elevata velocità
tAA = 10 ns/15 ns
Codice di correzione degli errori incorporato (ECC) per errore bit singolo
Correzione [1, 2]
Bassa corrente in standby e d'esercizio
ICC = 90 mA tipico a 100 MHz
ISB2 = 20 mA tipico
Gamma di tensione di esercizio: da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V, e
Da 4,5 V a 5,5 V
1,0 V di conservazione dei dati
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Pin indicazione di errore (ERR) a 1 bit per indicare il rilevamento e la correzione di errore da 1 bit
Disponibili in contenitori senza piombo a 48 pin, TSOP I 54 pin TSOP II e a 48 sfere VFBGA

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