Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 1Mbit, 128000 byte x 8 bit, 32 Pin, TSOP, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 181-7573P
- Codice costruttore:
- CY62128EV30LL-45ZXI
- Costruttore:
- Cypress Semiconductor
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 181-7573P
- Codice costruttore:
- CY62128EV30LL-45ZXI
- Costruttore:
- Cypress Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Cypress Semiconductor | |
| Dimensioni memoria | 1Mbit | |
| Organizzazione | 128000 byte x 8 bit | |
| Numero di parole | 128k | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 45ns | |
| Larghezza del bus indirizzi | 8bit | |
| Bassa potenza | Sì | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 32 | |
| Dimensioni | 18.3 x 8.2 x 1.05mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,2 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Lunghezza | 18.3mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Larghezza | 8.2mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Cypress Semiconductor | ||
Dimensioni memoria 1Mbit | ||
Organizzazione 128000 byte x 8 bit | ||
Numero di parole 128k | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 45ns | ||
Larghezza del bus indirizzi 8bit | ||
Bassa potenza Sì | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 32 | ||
Dimensioni 18.3 x 8.2 x 1.05mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Altezza 1.05mm | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,2 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Lunghezza 18.3mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Larghezza 8.2mm | ||
Esente
Velocità molto elevata: 45 ns
Gamme di temperatura:
Industriale: Da –40 °C a +85 °C.
Ampia gamma di tensione: Da 2,2 V a 3,6 V.
Pin compatibile con CY62128DV30
Bassissima potenza in standby
Corrente di standby tipica: 1 μA
Corrente di standby massima: 4 μA
Potenza attiva ultra bassa
Corrente attiva tipica: 1,3 ma a f = 1 MHz
Facile espansione della memoria grazie alle funzioni CE1, CE2 e OE
Spegnimento automatico se deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per velocità e potenza ottimali
Offerta in contenitori SOIC (Small Outline Integrated Circuit) senza piombo a 32 pin, TSOP (Small Outline Package) sottile a 32 pin tipo i e STSOP (Small Outline Package) sottile a 32 pin
Gamme di temperatura:
Industriale: Da –40 °C a +85 °C.
Ampia gamma di tensione: Da 2,2 V a 3,6 V.
Pin compatibile con CY62128DV30
Bassissima potenza in standby
Corrente di standby tipica: 1 μA
Corrente di standby massima: 4 μA
Potenza attiva ultra bassa
Corrente attiva tipica: 1,3 ma a f = 1 MHz
Facile espansione della memoria grazie alle funzioni CE1, CE2 e OE
Spegnimento automatico se deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per velocità e potenza ottimali
Offerta in contenitori SOIC (Small Outline Integrated Circuit) senza piombo a 32 pin, TSOP (Small Outline Package) sottile a 32 pin tipo i e STSOP (Small Outline Package) sottile a 32 pin
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