Memoria SRAM Infineon da 1Mbit, 64k x 16 bit, 44 Pin, SOJ, Montaggio superficiale

Visualizza SRAM
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
194-8912
Codice costruttore:
CY7C1021D-10VXI
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

1Mbit

Organizzazione

64k x 16 bit

Numero di parole

64k

Numero di bit per parola

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

10ns

Larghezza del bus indirizzi

16bit

Frequenza di clock

1MHz

Temporizzazione

Asincrono

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOJ

Numero pin

44

Dimensioni

1.13 x 0.405 x 0.12poll

Altezza

3.05mm

Tensione di alimentazione operativa massima

5 V

Massima temperatura operativa

+85 °C

Lunghezza

28.7mm

Larghezza

10.29mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Questo dispositivo è dotato di una funzione di spegnimento automatico che riduce notevolmente il consumo energetico quando è deselezionato. I pin di ingresso e uscita (da i/O0 a i/O15) sono collocati in uno stato di impedenza alta quando il dispositivo è deselezionato (CE HIGH), le uscite sono disattivate (OE HIGH), BHE e BLE sono disattivate (BHE, BLE HIGH) o durante un'operazione di scrittura (CE LOW e WE LOW). Scrivere sul dispositivo tenendo BASSI gli ingressi chip Enable (CE) e Write Enable (WE). Se il BLE (byte Low Enable) È BASSO, i dati provenienti dai pin i/o (da i/O0 a i/O7) vengono scritti nella posizione specificata sui pin dell'indirizzo (da A0 a A15). Se byte High Enable (BHE) È BASSO, i dati dai pin i/o (da i/O8 a i/O15) vengono scritti nella posizione specificata sui pin dell'indirizzo (da A0 a A15).

Link consigliati