Memoria SRAM Infineon da 1Mbit, 64k x 16 bit, 44 Pin, SOJ, Montaggio superficiale

Questo dispositivo è dotato di una funzione di spegnimento automatico che riduce notevolmente il consumo energetico quando è deselezionato. I pin di ingresso e uscita (da i/O0 a i/O15) sono collocati in uno stato di impedenza alta quando il dispositivo è deselezionato (CE HIGH), le uscite sono disattivate (OE HIGH), BHE e BLE sono disattivate (BHE, BLE HIGH) o durante un'operazione di scrittura (CE LOW e WE LOW). Scrivere sul dispositivo tenendo BASSI gli ingressi chip Enable (CE) e Write Enable (WE). Se il BLE (byte Low Enable) È BASSO, i dati provenienti dai pin i/o (da i/O0 a i/O7) vengono scritti nella posizione specificata sui pin dell'indirizzo (da A0 a A15). Se byte High Enable (BHE) È BASSO, i dati dai pin i/o (da i/O8 a i/O15) vengono scritti nella posizione specificata sui pin dell'indirizzo (da A0 a A15).