SRAM Infineon CY7C1021D-10VXI da 1 MB, 64K x 16 bit, 44 Pin, SOJ, Foro passante

Questo dispositivo è dotato di una funzione di spegnimento automatico che riduce notevolmente il consumo energetico quando viene deselezionato. I pin di ingresso e di uscita (I/O0 attraverso I/O15) sono posizionati in uno stato di impedenza elevata quando il dispositivo è deselezionato (CE HIGH), le uscite sono disabilitate (OE HIGH), BHE e BLE sono disabilitate (BHE, BLE HIGH), o durante un'operazione di scrittura (CE LOW e WE LOW). Scrivere sul dispositivo prendendo gli ingressi Chip Enable (CE) e Write Enable (WE) LOW. Se BLE (Byte Low Enable) è Basso, i dati dei pin I/O (I/O0 attraverso I/O7) vengono scritti nella posizione specificata sui pin di indirizzo (A0 attraverso A15). Se Byte High Enable (BHE) è Basso, i dati dai pin I/O (I/O8 attraverso I/O15) vengono scritti nella posizione specificata sui pin di indirizzo (A0 attraverso A15). Lettura dal dispositivo con abilitazione del chip (CE) e abilitazione dell'uscita (OE) LOW mentre si forza l'abilitazione della scrittura (WE) HIGH. Se BLE (Byte Low Enable) è Basso, i dati dalla posizione di memoria specificata dai pin di indirizzo vengono visualizzati su I/O da I/O7 a I/O0.