SRAM Cypress Semiconductor da 4096kbit, 512k x 8 bit, 32 Pin, TSOP-32, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 198-7999
- Codice costruttore:
- CY62148EV30LL-45ZSXIT
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
9,14 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 198-7999
- Codice costruttore:
- CY62148EV30LL-45ZSXIT
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 4096kbit | |
| Organizzazione | 512k x 8 bit | |
| Numero di parole | 512k | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 45ns | |
| Larghezza del bus indirizzi | 8bit | |
| Frequenza di clock | 1MHz | |
| Bassa potenza | Sì | |
| Temporizzazione | Asincrono | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP-32 | |
| Numero pin | 32 | |
| Dimensioni | 8.1 x 11.9 x 1.05mm | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Larghezza | 11.9mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,2 V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 4096kbit | ||
Organizzazione 512k x 8 bit | ||
Numero di parole 512k | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 45ns | ||
Larghezza del bus indirizzi 8bit | ||
Frequenza di clock 1MHz | ||
Bassa potenza Sì | ||
Temporizzazione Asincrono | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP-32 | ||
Numero pin 32 | ||
Dimensioni 8.1 x 11.9 x 1.05mm | ||
Altezza 1.05mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Larghezza 11.9mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,2 V | ||
Cypress CY62148EV30 è una RAM statica CMOS ad alte prestazioni dotata di Advanced Circuit Design per fornire una corrente attiva ultra bassa. Questa caratteristica si dimostra ideale per fornire Una maggiore durata della batteria™ (MoBL) in applicazioni portatili.
Velocità molto elevata: 45 ns
Gamma di tensione: da 4,5 V a 5,5 V.
Bassissima potenza in standby
Bassissima potenza attiva
Spegnimento automatico deselezionato
Gamma di tensione: da 4,5 V a 5,5 V.
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Bassissima potenza attiva
Spegnimento automatico deselezionato
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