SRAM Renesas Electronics da 128kbit, 8K x 16, 100 Pin, TQFP-100, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 250-3454
- Codice costruttore:
- 7025L20PFGI
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Prezzo per 1 vassoio da 45 unità*
2582,28 €
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 45 + | 57,384 € | 2.582,28 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 250-3454
- Codice costruttore:
- 7025L20PFGI
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Dimensioni memoria | 128kbit | |
| Organizzazione | 8K x 16 | |
| Numero di parole | 8K | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 20ns | |
| Larghezza del bus indirizzi | 32bit | |
| Bassa potenza | Sì | |
| Temporizzazione | Asincrono | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TQFP-100 | |
| Numero pin | 100 | |
| Dimensioni | 14 x 14 x 1.4mm | |
| Altezza | 1.4mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V | |
| Lunghezza | 14mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Larghezza | 14mm | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 4,5 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Dimensioni memoria 128kbit | ||
Organizzazione 8K x 16 | ||
Numero di parole 8K | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 20ns | ||
Larghezza del bus indirizzi 32bit | ||
Bassa potenza Sì | ||
Temporizzazione Asincrono | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TQFP-100 | ||
Numero pin 100 | ||
Dimensioni 14 x 14 x 1.4mm | ||
Altezza 1.4mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V | ||
Lunghezza 14mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Larghezza 14mm | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 4,5 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
La RAM statica Renesas Electronics è dotata di una porta doppia 8K x 16 ad alta velocità. È progettato per essere utilizzato come RAM a doppia porta autonoma da 128 K bit o come RAM a doppia porta combinata MASTER/SLAVE per sistemi word a 32 bit o più. L'impiego dell'approccio RAM a doppia porta IDT MASTER/SLAVE in applicazioni di sistemi di memoria a 32 bit o più ampie si traduce in un funzionamento a piena velocità e senza errori senza la necessità di logica discreta aggiuntiva. Fornisce due porte indipendenti con controllo, indirizzo e pin I/O separati che consentono l'accesso indipendente e asincrono per letture o scritture a qualsiasi posizione in memoria.
Realizzato utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni.
Funzionano tipicamente a soli 750 mW di potenza.
Le versioni a bassa potenza offrono la capacità di conservazione dei dati di backup della batteria con un consumo energetico tipico di 500 μW da una batteria da 2 V.
IDT7025 è confezionato in un PGA ceramico a 84 pin.
Controllo separato di byte superiore e inferiore per la compatibilità con bus multiplexato.
Logica di arbitraggio della porta su chip.
Funzionamento completamente asincrono da entrambe le porte.
La gamma di temperature industriali da -40 °C a +85 °C è disponibile per velocità selezionate
Funzionano tipicamente a soli 750 mW di potenza.
Le versioni a bassa potenza offrono la capacità di conservazione dei dati di backup della batteria con un consumo energetico tipico di 500 μW da una batteria da 2 V.
IDT7025 è confezionato in un PGA ceramico a 84 pin.
Controllo separato di byte superiore e inferiore per la compatibilità con bus multiplexato.
Logica di arbitraggio della porta su chip.
Funzionamento completamente asincrono da entrambe le porte.
La gamma di temperature industriali da -40 °C a +85 °C è disponibile per velocità selezionate
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