SRAM Infineon CY62146EV30LL-45ZSXI da 4 MB, 44 Pin, TSOP II, Superficie

Questa SRAM è un dispositivo di memoria a montaggio superficiale progettato per l'archiviazione asincrona a basso consumo in contesti industriali e integrati. Funziona in un intervallo di tensione ridotto adatto a progetti attenti all'energia e funziona entro limiti di temperatura estesi per ambienti difficili. Il tipo di contenitore supporta layout di schede compatte ed è conforme agli standard ambientali comuni per i componenti elettronici.

• L'intervallo di alimentazione da 2,2 V a 3,6 V riduce il consumo di potenza e consente domini di potenza flessibili
• La temporizzazione asincrona semplifica l'interfacciamento con diverse famiglie logiche
• La corrente di alimentazione tipica di 20 mA supporta applicazioni sensibili all'energia
• L'organizzazione di 256K parole fornisce blocchi di memoria indirizzabili deterministici
• La conformità alla direttiva RoHS facilita l'assemblaggio nelle linee di produzione regolamentate

• Adatto per sistemi integrati che richiedono un accesso SRAM non volatile
• Ideale per controller industriali che operano a temperature estreme
• Utilizzato con microcontrollori che richiedono trasferimenti dati a 16 bit
• Può essere utilizzato per il buffering della memoria in dispositivi di comunicazione a bassa potenza
• Adatto per progetti di circuiti stampati che richiedono contenitori a 44 pin a montaggio superficiale

Utilizza un pacchetto TSOP II a montaggio superficiale con un conteggio di 44 pin adatto per layout di schede compatte.

È classificato per il funzionamento tra -40 °C e 85 °C per l'uso in condizioni di temperatura industriale.

La memoria è disposta come 256kx16, con 256K parole indirizzabili e una larghezza di parola di 16 bit.

La corrente di alimentazione tipica è specificata a 20 mA per la pianificazione dei budget di potenza.