Memoria SRAM Renesas Electronics da 1Mbit, 128K x 8 bit, 32 Pin, TSOP, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
772-6116P
Codice costruttore:
R1LP0108ESF-7SR#B0
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Dimensioni memoria

1Mbit

Organizzazione

128K x 8 bit

Numero di parole

128K

Numero di bit per parola

8

Tempo di accesso casuale massimo

70ns

Larghezza del bus indirizzi

17bit

Bassa potenza

Sì

Temporizzazione

Asincrono

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

TSOP

Numero pin

32

Dimensioni

18.5 x 8.1 x 1mm

Tensione di alimentazione operativa massima

5,5 V

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

0 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

4,5 V cc

Larghezza

8.1mm

Lunghezza

18.5mm

Massima temperatura operativa

+70 °C

Paese di origine:
JP

SRAM a bassa potenza, serie R1LP, Renesas Electronics


La serie R1LP di RAM statiche avanzate a bassa tensione è adatta per le applicazioni di memoria in cui un semplice interfacciamento, il funzionamento a batteria e la batteria di emergenza sono importanti gli obiettivi di progettazione.

Alimentazione singola da 4,5 V a 5,5 V
Corrente in standby ridotta
Nessun orologio, non è necessario alcun aggiornamento
Tutti gli ingressi e le uscite sono compatibili con TTL


SRAM (memoria ad accesso causale statica)

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