Emettitore commutato ON Semiconductor FJBE2150DTU, NPN, D2PAK (TO-263), 3 Pin
- Codice RS:
- 864-8953
- Codice costruttore:
- FJBE2150DTU
- Costruttore:
- ON Semiconductor
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 864-8953
- Codice costruttore:
- FJBE2150DTU
- Costruttore:
- ON Semiconductor
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Transistor di potenza ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistor di potenza NPN bipolari progettati per l'uso in configurazioni ESBC™ (bipolare commutato con emettitore/MOSFET Cascode) insieme a opportuni dispositivi MOSFET di potenza. Questa configurazione dell'interruttore di alimentazione garantisce una maggiore efficienza, flessibilità e robustezza, inoltre, la potenza di azionamento è ridotta al minimo grazie all'assenza della capacità di Miller in fase di progettazione.
Transistor bipolari, Fairchild Semiconductor
L’ampia gamma di transistor a giunzione bipolari (BJT) offre soluzioni complete per esigenze di applicazione nei circuiti. Gli innovativi contenitori sono progettati per essere di dimensioni minime, offrire la massima affidabilità e le migliori prestazioni termiche.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo transistor | NPN |
| Corrente c.c. massima collettore | 2 A |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Dissipazione di potenza massima | 110 W |
| Guadagno minimo corrente c.c. | 20 |
| Numero pin | 3 |
| Massima temperatura operativa | +125 °C |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Dimensioni | 10.67 x 9.85 x 4.83mm |