Transistor STMicroelectronics MJD112T4, 3 Pin NPN, TO-252, 2 A, 100 V, Superficie
- Codice RS:
- 151-413P
- Codice costruttore:
- MJD112T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 200 - 480 | 0,195 € |
| 500 - 980 | 0,183 € |
| 1000 - 1980 | 0,178 € |
| 2000 + | 0,174 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-413P
- Codice costruttore:
- MJD112T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 2A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 100V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 200 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20W | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 6mm | |
| Lunghezza | 6.4m | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 2A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 100V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V | ||
Polarità transistor NPN | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 200 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20W | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 6mm | ||
Lunghezza 6.4m | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
I transistor STMicroelectronics, questo dispositivo è realizzato con tecnologia Planar con layout "isola di base" e configurazione monolitica Darlington.
Buona linearità hFE
Elevata frequenza fT