Transistor STMicroelectronics MJD112T4, 3 Pin NPN, TO-252, 2 A, 100 V, Superficie
- Codice RS:
- 151-413P
- Codice costruttore:
- MJD112T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 1000 in più per risparmiare 90,00 €
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 200 unità (fornito in bobina)*
75,60 €
(IVA esclusa)
92,20 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 1800 unità in spedizione dal 09 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Risparmio |
|---|---|---|
| 200 - 980 | 0,378 € | - |
| 1000 - 1980 | 0,288 € | 90,00 € |
| 2000 + | 0,258 € | 240,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-413P
- Codice costruttore:
- MJD112T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 2A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 100V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 200 | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20W | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 2.2mm | |
| Lunghezza | 6.4m | |
| Altezza | 6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 2A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 100V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 200 | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20W | ||
Polarità transistor NPN | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 2.2mm | ||
Lunghezza 6.4m | ||
Altezza 6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
I transistor STMicroelectronics, questo dispositivo è realizzato con tecnologia Planar con layout "isola di base" e configurazione monolitica Darlington.
Buona linearità hFE
Elevata frequenza fT