Transistor STMicroelectronics 2STN1360, 4 Pin NPN, SOT-223, 3 A, 60 V, Superficie
- Codice RS:
- 151-434
- Codice costruttore:
- 2STN1360
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,168 € | 168,00 € |
| 2000 - 4000 | 0,144 € | 144,00 € |
| 5000 - 9000 | 0,13 € | 130,00 € |
| 10000 + | 0,125 € | 125,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-434
- Codice costruttore:
- 2STN1360
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 3A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 60V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 80V | |
| Minima temperatura operativa | -60°C | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 80 | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 4.4mm | |
| Lunghezza | 2.29mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 3A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 60V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 80V | ||
Minima temperatura operativa -60°C | ||
Polarità transistor NPN | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 80 | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 4.4mm | ||
Lunghezza 2.29mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor NPN STMicroelectronics è realizzato utilizzando la nuova tecnologia Planar a bassa tensione con processo a doppio metallo. Il risultato è un transistor che vanta prestazioni di guadagno eccezionalmente elevate accoppiate a una tensione di saturazione molto bassa.
Caratteristica di guadagno di corrente elevato
Velocità di commutazione rapida
Può essere utilizzato in applicazioni di illuminazione di emergenza e regolazione della tensione
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