Transistor STMicroelectronics 2STF2360, 3 Pin PnP, SOT-89, 3 A, -60 V, Superficie
- Codice RS:
- 151-451
- Codice costruttore:
- 2STF2360
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,185 € | 462,50 € |
| 5000 - 22500 | 0,168 € | 420,00 € |
| 25000 + | 0,166 € | 415,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-451
- Codice costruttore:
- 2STF2360
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 3A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -60V | |
| Tipo di package | SOT-89 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | PNP | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -60V | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 160 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -6V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Lunghezza | 2.29mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 4.4mm | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 3A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -60V | ||
Tipo di package SOT-89 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor PNP | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -60V | ||
Polarità transistor PnP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 160 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -6V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Lunghezza 2.29mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 4.4mm | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor PNP STMicroelectronics è realizzato utilizzando la nuova tecnologia di corrente di potenza bipolare ad alta densità. Il transistor risultante mostra prestazioni di guadagno eccezionalmente elevate accoppiate a una tensione di saturazione molto bassa.
Può essere utilizzato in applicazioni di illuminazione di emergenza e regolazione della tensione
Caratteristica di guadagno di corrente elevato
Velocità di commutazione rapida