Transistor bipolare onsemi NSVBCP5310MTWG, 3 Pin PnP, WDFNW3, 1 A, 80 V, Superficie
- Codice RS:
- 333-392P
- Codice costruttore:
- NSVBCP5310MTWG
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 20 unità (fornito in una striscia continua)*
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 + | 0,229 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 333-392P
- Codice costruttore:
- NSVBCP5310MTWG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 1A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 80V | |
| Tipo di package | WDFNW3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 100V | |
| Minima temperatura operativa | 65°C | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Frequenza transizione massima ft | 130MHz | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 63 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.5W | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Serie | BCP53M | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare | ||
Corrente CC massima collettore Idc 1A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 80V | ||
Tipo di package WDFNW3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 100V | ||
Minima temperatura operativa 65°C | ||
Polarità transistor PnP | ||
Frequenza transizione massima ft 130MHz | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 63 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.5W | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Serie BCP53M | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di media potenza di ON Semiconductor è progettato per applicazioni di amplificazione generiche. È alloggiato in un contenitore DFN20203 che offre prestazioni termiche superiori. Il transistor è ideale per le applicazioni di montaggio superficiale di media potenza in cui lo spazio sulla scheda e l'affidabilità sono al massimo.
Certificazione AEC-Q101
Pacchetto WDFNW3
Senza Pb e senza alogeni
Soluzione conforme alla direttiva RoHS