Transistor ad alta tensione NPN onsemi MMBT5550LT1G, 3 Pin NPN, SOT-23, 600 mA, 140 V cc, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
765-318
Codice costruttore:
MMBT5550LT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor ad alta tensione NPN

Corrente CC massima collettore Idc

600mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

140V cc

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

160V cc

Minima temperatura operativa

-55°C

Polarità transistor

NPN

Tensione massima base emettitore VBEO

6V cc

Dissipazione di potenza massima Pd

225mW

Guadagno minimo di corrente CC hFE

60

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

MMBT5550L

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Altezza

1.01mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il transistor al silicio NPN di onsemi è progettato per applicazioni che richiedono capacità ad alta tensione. Con un'impressionante tensione nominale collettore-emettitore di 140 V, questo dispositivo è progettato per garantire un'affidabilità ottimale nel settore automobilistico e in altre applicazioni industriali che richiedono standard di prestazioni rigorosi. La sua struttura senza piombo e senza alogeni riflette ulteriormente la sua compatibilità con le normative ambientali contemporanee, garantendo la conformità senza compromettere la qualità. Ottimizzato per correnti di collettore continue fino a 600 mA, questo transistor eccelle nelle operazioni di commutazione ad alta velocità, offrendo ritardi minimi e una maggiore efficienza per vari circuiti elettronici.

Capacità di alta tensione con tensioni nominali collettore-emettitore fino a 140 V

Progettato per una corrente di collettore continua di 600 mA, supporta le applicazioni più impegnative

La struttura senza piombo e senza alogeni è conforme agli standard RoHS, promuovendo la sicurezza ambientale

Certificazione AEC-Q101, che garantisce l'affidabilità nelle applicazioni automobilistiche e critiche

Ottimizzato per velocità di commutazione elevate, facilita il funzionamento efficiente del circuito

Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore, che migliora l'efficienza energetica complessiva

Stabilità termica migliorata con bassa resistenza termica, migliorando le prestazioni in ambienti ad alta temperatura

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