Transistor di potenza STMicroelectronics SGT3D5R10MEB Canale N, 9 Pin, 100 V 201 A, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 877-307
- Codice costruttore:
- SGT3D5R10MEB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
4683,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,561 € | 4.683,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 877-307
- Codice costruttore:
- SGT3D5R10MEB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 100V | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Configurazione transistor | Modalità di potenziamento | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 255W | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 201A | |
| Numero pin | 9 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | G-HEMT | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 100V | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Configurazione transistor Modalità di potenziamento | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 255W | ||
Corrente massima continua collettore Ic 201A | ||
Numero pin 9 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie G-HEMT | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor di potenza STMicroelectronics fornisce perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.
Velocità di commutazione molto elevata
Capacità estremamente basse
Carica di recupero inverso zero