Transistor di potenza STMicroelectronics SGT240R70ITK TO-252 (D-PAK-3) Canale N, 3 Pin, 700 V 10 A, Montaggio
- Codice RS:
- 898-598
- Codice costruttore:
- SGT240R70ITK
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 898-598
- Codice costruttore:
- SGT240R70ITK
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di package | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 700V | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Configurazione transistor | Canale N | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 7V | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 10A | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 77W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Lunghezza | 6.22mm | |
| Altezza | 10.5mm | |
| Larghezza | 2.38mm | |
| Standard/Approvazioni | ECOPACK2 | |
| Serie | SGT240R70ITK | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di package TO-252 (D-PAK-3) | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 700V | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Configurazione transistor Canale N | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 7V | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Corrente massima continua collettore Ic 10A | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 77W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Lunghezza 6.22mm | ||
Altezza 10.5mm | ||
Larghezza 2.38mm | ||
Standard/Approvazioni ECOPACK2 | ||
Serie SGT240R70ITK | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il dispositivo a transistor PowerGaN di STMicroelectronics fornisce perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.
Modalità di potenziamento normalmente off transistor
Elevata capacità di gestione della potenza
Carica di recupero inverso zero
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