Transistor Digitale Nexperia PBRN123ET,215, 3 Pin NPN, SOT-23 (TO-236AB), 600 mA, 40 V, Superficie
- Codice RS:
- 153-2921
- Codice costruttore:
- PBRN123ET,215
- Costruttore:
- Nexperia
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 153-2921
- Codice costruttore:
- PBRN123ET,215
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 600mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 40V | |
| Tipo di package | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 40V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 570mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 70 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 10V | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Corrente CC massima collettore Idc 600mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 40V | ||
Tipo di package SOT-23 (TO-236AB) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 40V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 570mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 70 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 10V | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
NPN 800 mA, 40 V BISS RET, R1 = 2,2 kOhm, R2 = 2,2 kOhm, 800 mA NPN VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Family of Resistor-Equipped Transistors (RET) in piccoli contenitori in plastica.
Capacità di corrente di uscita 800 mA
Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore VCEsat
Gain di corrente elevato hFE
Riduce il numero di componenti
Resistenze di polarizzazione integrate
Riduce i costi di raccolta e posizionamento
Semplifica la progettazione dei circuiti
Tolleranza rapporto resistenza +-10 pct
Certificazione AEC-Q101
Applicazione digitale nei segmenti automobilistico e industriale
Carichi di commutazione
Driver per periferiche a corrente media
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