Transistor onsemi, 8 Pin NPN + PNP, SOIC, 3 A, 40 V, Superficie
- Codice RS:
- 162-9192
- Codice costruttore:
- NSS40302PDR2G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 162-9192
- Codice costruttore:
- NSS40302PDR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 3A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 40V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 40V | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 6V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 180 | |
| Polarità transistor | NPN + PNP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 783mW | |
| Numero pin | 8 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | e2PowerEdge | |
| Larghezza | 4mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 3A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 40V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 40V | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 6V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 180 | ||
Polarità transistor NPN + PNP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 783mW | ||
Numero pin 8 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie e2PowerEdge | ||
Larghezza 4mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- PH
Transistor NPN/PNP doppi, ON Semiconductor
Contenitori a doppio transistor ciascuno contenente un dispositivo NPN e un dispositivo PNP
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