Transistor onsemi 50C02SS-TL-E, 3 Pin NPN, 400 mA, 50 V, Superficie
- Codice RS:
- 163-0855
- Codice costruttore:
- 50C02SS-TL-E
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 163-0855
- Codice costruttore:
- 50C02SS-TL-E
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Numero pin | 3 | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Corrente CC massima collettore (Idc) | 400 mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore (Vceo) | 50 V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Altezza | 600 μm | |
| Lunghezza | 1.4 mm | |
| Tensione massima base del collettore (VCBO) | 60 V | |
| Tensione massima base emettitore (VBEO) | 5 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 200 mW | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Larghezza | 800 μm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Numero pin 3 | ||
Polarità transistor NPN | ||
Corrente CC massima collettore (Idc) 400 mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore (Vceo) 50 V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Altezza 600 μm | ||
Lunghezza 1.4 mm | ||
Tensione massima base del collettore (VCBO) 60 V | ||
Tensione massima base emettitore (VBEO) 5 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 200 mW | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Larghezza 800 μm | ||
- Paese di origine:
- JP
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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