Transistor bipolare RF NPN Infineon, 4 Pin, TSFP, 150 mA, 13 V, Montaggio superficiale

Una gamma di transistor bipolari NPN Infineon, a banda larga e a bassissima rumorosità. Questi dispositivi bipolari a eterogiunzione utilizzano la tecnologia Infineon con silicio germanio al carbonio (SiGe:C) e sono particolarmente adatti per l'uso in applicazioni mobili per cui un basso consumo energetico è un requisito fondamentale. Con frequenze di transizione tipiche fino a 65 GHz, questi dispositivi offrono un elevato guadagno di potenza fino a frequenze massime di 10 GHz quando vengono utilizzati in amplificatori. I transistor includono Circuiti interni per ESD e protezione da eccessiva potenza in ingresso.

Transistor bipolare, Infineon