Codice costruttore

Transistor Nexperia, 4 Pin NPN, SOT-223, 3 A, 50 V, Superficie

Codice RS:: 166-0622
Codice costruttore:: PBSS4350Z,135
Costruttore:: Nexperia

Transistor Nexperia, 4 Pin NPN, SOT-223, 3 A, 50 V, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

576,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
4000 +	0,144 €	576,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-0622
Codice costruttore:: PBSS4350Z,135
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc	3A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	50V
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO	60V
	Frequenza transizione massima ft	100MHz
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Tensione massima base emettitore VBEO	6V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE	100
	Polarità transistor	NPN
	Numero pin	4
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.7mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Serie	PBSS4350Z
	Altezza	1.65mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc 3A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO 60V
	Frequenza transizione massima ft 100MHz
	Minima temperatura operativa -65°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Tensione massima base emettitore VBEO 6V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE 100
	Polarità transistor NPN
	Numero pin 4
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.7mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Serie PBSS4350Z
	Altezza 1.65mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Transistor NPN a bassa tensione di saturazione

Una gamma di transistor a giunzione bipolare NPN a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.

Transistor bipolari, Nexperia

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