Transistor NPN Nexperia, 6 Pin, TSOP, 1 A, 60 V, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 166-1569
- Codice costruttore:
- PBSS4160DS,115
- Costruttore:
- Nexperia
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,112 € | 336,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-1569
- Codice costruttore:
- PBSS4160DS,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo transistor | NPN | |
| Corrente c.c. massima collettore | 1 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 60 V | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Dissipazione di potenza massima | 700 mW | |
| Guadagno minimo corrente c.c. | 250 | |
| Configurazione transistor | Isolato | |
| Tensione massima base del collettore | 80 V | |
| Tensione massima base emitter | 5 V | |
| Frequenza operativa massima | 220 MHz | |
| Numero pin | 6 | |
| Numero di elementi per chip | 2 | |
| Dimensioni | 1 x 3.1 x 1.7mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo transistor NPN | ||
Corrente c.c. massima collettore 1 A | ||
Tensione massima collettore emitter 60 V | ||
Tipo di package TSOP | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Dissipazione di potenza massima 700 mW | ||
Guadagno minimo corrente c.c. 250 | ||
Configurazione transistor Isolato | ||
Tensione massima base del collettore 80 V | ||
Tensione massima base emitter 5 V | ||
Frequenza operativa massima 220 MHz | ||
Numero pin 6 | ||
Numero di elementi per chip 2 | ||
Dimensioni 1 x 3.1 x 1.7mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Transistor NPN a bassa tensione di saturazione
Una gamma di transistor bipolari a giunzione NPN a bassa tensione di saturazione NXP BISS (Breakthrough In Small Signal). Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni molto basse di saturazione collettore-emettitore e da elevate capacità di corrente del collettore in contenitori compatti e salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor portano ad una ridotta generazione di calore e ad un aumento dell'efficienza totale se usati nelle applicazioni di commutazione e digitali.
Transistor bipolari, Nexperia
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