Transistor onsemi, 3 Pin NPN, TO-92, 50 mA, 25 V, Foro passante
- Codice RS:
- 166-2587
- Codice costruttore:
- KSP10BU
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Sacchetto* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,042 € | 420,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-2587
- Codice costruttore:
- KSP10BU
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 50mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 25V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 30V | |
| Frequenza transizione massima ft | 650MHz | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 60 | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | KSP10 | |
| Lunghezza | 4.58mm | |
| Altezza | 4.58mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 50mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 25V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 30V | ||
Frequenza transizione massima ft 650MHz | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Polarità transistor NPN | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 60 | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie KSP10 | ||
Lunghezza 4.58mm | ||
Altezza 4.58mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
Transistor bipolari RF, Fairchild Semiconductor
Transistor bipolari, Fairchild Semiconductor
L'ampia gamma di transistor a giunzione bipolare (BJT) fornisce soluzioni complete per varie esigenze di applicazione dei circuiti. Gli contenitori innovativi sono progettati per dimensioni minime, la massima affidabilità e le massime prestazioni termiche.
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