Transistor NPN Nexperia, 3 Pin, SOT-323 (SC-70), 500 mA, 45 V, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 181-7351
- Codice costruttore:
- BC817-16W,115
- Costruttore:
- Nexperia
31231 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,014 €
(IVA esclusa)
0,017 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,014 € | 42,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 181-7351
- Codice costruttore:
- BC817-16W,115
- Costruttore:
- Nexperia
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Un’ampia gamma di dispositivi e contenitori fino a dimensioni ultra-piccole, parte di una varietà di oltre 300 dispositivi bipolari a segnale piccolo e forte, i nostri transistor NPN singoli sono perfetti per le applicazioni di commutazione e amplificazione. Offriamo anche una varietà di contenitori SMD, tra cui il nostro contenitore senza terminali ultra-piccolo SOT883 per ridurre gli ingombri dei progetti.
Contenitore senza cavi di dimensioni estremamente ridotte 1006 SOT883 (SC-101)
Ampia scelta di opzioni di contenitore SMD e con cavi
Ampia gamma di funzioni doppie e singole
Oltre 300 prodotti diversi
Commutazione e amplificazione per impieghi generali
Ampia scelta di opzioni di contenitore SMD e con cavi
Ampia gamma di funzioni doppie e singole
Oltre 300 prodotti diversi
Commutazione e amplificazione per impieghi generali
Transistor NPN/PNP per impieghi generali in un contenitore di plastica molto piccolo SOT323 (SC-70) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD).
Corrente elevata
Tre selezioni di guadagno di corrente
Commutazione e amplificazione per impieghi generali
Tre selezioni di guadagno di corrente
Commutazione e amplificazione per impieghi generali
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo transistor | NPN |
| Corrente c.c. massima collettore | 500 mA |
| Tensione massima collettore emitter | 45 V |
| Tipo di package | SOT-323 (SC-70) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Dissipazione di potenza massima | 200 mW |
| Guadagno minimo corrente c.c. | 100 |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima base del collettore | 50 V |
| Tensione massima base emitter | 5 V |
| Frequenza operativa massima | 100 MHz |
| Numero pin | 3 |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Dimensioni | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
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